IXKN 45N80C
miniBLOC, SOT-227 B
SYM
MILLIMETERS
MIN MAX
INCHES
MIN MAX
400
280
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
140
3 .50
7.80
4.09
4.09
4.09
 4.9 
30. 2
37.80
  .68
8.92
0.76
 2.60
25. 5
 .98
4.95
26.54
3.94
4.72
24.59
-.05
3.30
 9.8 
3 .88
8.20
4.29
4.29
4.29
 5.  
30.30
38.23
 2.22
9.60
0.84
 2.85
25.42
2. 3
5.97
26.90
4.42
4.85
25.07
. 0
4.57
2 .08
 .240
.307
. 6 
. 6 
. 6 
.587
 . 86
 .489
.460
.35 
.030
.496
.990
.078
. 95
 .045
. 55
. 86
.968
-.002
. 30
.780
 .255
.323
. 69
. 69
. 69
.595
 . 93
 .505
.48 
.378
.033
.506
 .00 
.084
.235
 .059
. 74
. 9 
.987
.004
. 80
.830
300
260
240
220
200
T J = 25°C
V GS = 20 V
10 V
8V
120
100
T J = 150°C
20 V
10 V
8V
7V
6.5 V
180
6V
200
160
140
7V
80
120
60
5.5 V
100
100
80
6V
40
5V
60
40
20
5V
20
4.5 V
4V
0
0
40
80
120
160
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
5
10
15
20
25
30
T C [°C]
Fig.   Power dissipation
V DS [V]
Fig. 2 Typ. output characteristics
V DS [V]
Fig. 3 Typ. output characteristics
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2008 IXYS All rights reserved
20080526a
3-4
相关PDF资料
IXKP10N60C5M MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXKP10N60C5 MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
IXKP13N60C5M MOSFET N-CH 600V 6.5A TO220FP
IXKP13N60C5 MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
IXKP20N60C5M MOSFET N-CH 600V 7.6A TO220FP
IXKP24N60C5M MOSFET N-CH 600V 8.5A TO220FP
IXKR25N80C MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
IXKR40N60C MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
相关代理商/技术参数
IXKN75N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:CoolMOS Power MOSFET
IXKN75N60C 功能描述:MOSFET 75 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP10N60C5 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP10N60C5M 功能描述:MOSFET 10 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP13N60C5 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP13N60C5M 功能描述:MOSFET 13 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP20N60C5 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXKP20N60C5M 功能描述:MOSFET 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube